RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
41
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.7
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2913
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link