RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
101
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.7
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
101
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.7
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
1313
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link