RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB против Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
36
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2437
2554
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link