RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
55
Около -10% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
55
50
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
13.1
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2612
2512
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link