RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Сравнить
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB против A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
65
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
4.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
32
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
15.5
Скорость записи, Гб/сек
4.2
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
985
2968
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Сравнения RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link