RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сравнить
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB против Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
62
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.0
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
62
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
6.7
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1929
1808
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB Сравнения RAM
Elpida EBJ17RG4EAFD-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link