RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
43
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2938
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link