RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сравнить
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3663
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link