RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
32
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
32
Скорость чтения, Гб/сек
20.5
19.4
Скорость записи, Гб/сек
16.4
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3530
3726
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link