RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сравнить
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB против Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
-->
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
32
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
32
Скорость чтения, Гб/сек
20.5
16.0
Скорость записи, Гб/сек
16.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3530
1897
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSO8GX3M1A1333C9 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link