RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
45
Около -45% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
31
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
3199
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link