RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
17.8
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
3568
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link