G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

6 22.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,935.8 16.3

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 45

Около -50% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 30
Скорость чтения, Гб/сек

6,336.8 22.3
Скорость записи, Гб/сек

2,935.8 16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1144 3873

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB

Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

модули RAM

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB

модули RAM