RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около -88% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
24
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2925
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link