RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2417
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link