G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Средняя оценка

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

6 15.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,935.8 12.7

Среднее значение в тестах

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

Причины выбрать
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 45

Около -41% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 32
Скорость чтения, Гб/сек

6,336.8 15.7
Скорость записи, Гб/сек

2,935.8 12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1144 2824

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston XN205T-MIE 16GB

Kingston XN205T-MIE 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB

Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666

модули RAM