RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3288
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link