RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2808
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link