RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
9.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2300
2046
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB Сравнения RAM
Corsair CM2X2G8500C5D2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link