RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
36
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.7
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
3726
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link