G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 34

Около 18% меньшая задержка

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.7 12.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.2 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 34
Скорость чтения, Гб/сек

12.4 14.7
Скорость записи, Гб/сек

7.5 9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2014 2597

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB

Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM