RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Средняя оценка
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
19.9
Скорость записи, Гб/сек
11.3
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
3732
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link