RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.6
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
22.0
Скорость записи, Гб/сек
11.3
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
4052
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 99U5402-029.A00LF 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link