RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.3
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
2892
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
INTENSO M418039 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link