RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
17.8
Скорость записи, Гб/сек
11.3
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
3660
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link