G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.8 16.6

Среднее значение в тестах

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 34

Около -10% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.5 11.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

34 31
Скорость чтения, Гб/сек

16.8 16.6
Скорость записи, Гб/сек

11.3 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2968 2605

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

модули RAM

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9905678-014.A00G 4GB

Kingston 9905678-014.A00G 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9965589-035.D00G 16GB

Kingston 9965589-035.D00G 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB

Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB

A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905700-053.A00G 8GB

Kingston 9905700-053.A00G 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB

Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB

модули RAM