RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
58
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
58
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
11.3
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
1998
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link