G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Средняя оценка

Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.2 17

Среднее значение в тестах

Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

Причины выбрать
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

13.5 11.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 28
Скорость чтения, Гб/сек

18.2 17.0
Скорость записи, Гб/сек

11.5 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3067 3250

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB

Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

AMD R744G2133U1S 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB

Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston 9905678-044.A00G 8GB

Kingston 9905678-044.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

модули RAM

SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

модули RAM