RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
41
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
9.3
Скорость записи, Гб/сек
11.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2044
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link