RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
28
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
20
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
11.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
3395
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link