RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
24
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
10.3
Скорость записи, Гб/сек
20.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
2327
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link