RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
24
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
20.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
3247
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link