RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
20.2
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3241
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link