RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2821
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link