RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
62
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3219
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link