RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
62
Около -210% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.0
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
19.7
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3465
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB Сравнения RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link