RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2545
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link