RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3323
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link