RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
62
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2055
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link