RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
62
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.5
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
19.7
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3935
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link