RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2341
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link