Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

-->

Средняя оценка

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Средняя оценка

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 29

Около 7% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 17000

Около 1.25% выше полоса пропускания

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.1 16.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.2 11.8

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 29
Скорость чтения, Гб/сек

16.7 18.1
Скорость записи, Гб/сек

11.8 14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 17000

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2756 3485

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston 99U5663-001.A00G 16GB

Kingston 99U5663-001.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kingston 9905625-076.A00G 8GB

Kingston 9905625-076.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB

Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Kllisre 0000 8GB

Kllisre 0000 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

модули RAM

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

INTENSO M418039 8GB

INTENSO M418039 8GB

модули RAM