RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3221
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link