RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
20.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
4084
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link