RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
20.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3738
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link