RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2502
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link