RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
59
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
59
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
9.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2025
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link