RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
56
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
16.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
56
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
18.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2235
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link