RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
55
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
55
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
19.0
Скорость записи, Гб/сек
7.9
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
2239
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link