RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
5.8
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3327
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link